casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD3672
Número da peça de fabricante | FDD3672 |
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Número da peça futura | FT-FDD3672 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UltraFET™ |
FDD3672 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta), 44A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 135W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD3672 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDD3672-FT |
FQD5P20TM
ON Semiconductor
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IRFR4105TRPBF
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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