casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD306P
Número da peça de fabricante | FDD306P |
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Número da peça futura | FT-FDD306P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDD306P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 52W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD306P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDD306P-FT |
FQD10N20CTM
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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XC3S500E-4PQ208I
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5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LFE3-35EA-8FN484I
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LCMXO3L-4300E-6MG121I
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5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
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EP20K1000EFC33-3
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