casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD2512
Número da peça de fabricante | FDD2512 |
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Número da peça futura | FT-FDD2512 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDD2512 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 344pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 42W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD2512 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDD2512-FT |
2SK3462(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3816-DL-E
ON Semiconductor
2SK3817-DL-E
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2SK3821-DL-E
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64-4051
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64-4059PBF
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94-2335
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94-4737
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
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XC3S250E-5PQ208C
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XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
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A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
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10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
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