casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD107AN06LA0
Número da peça de fabricante | FDD107AN06LA0 |
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Número da peça futura | FT-FDD107AN06LA0 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDD107AN06LA0 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta), 10.9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91 mOhm @ 10.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 25W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252AA |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD107AN06LA0 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDD107AN06LA0-FT |
2SK2266(TE24R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2845(TE16L1,Q)
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2SK2883(TE24L,Q)
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2SK2993(TE24L,Q)
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2SK3068(TE24L,Q)
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2SK3127(TE24L,Q)
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2SK3309(TE24L,Q)
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2SK3342(TE16L1,NQ)
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2SK3462(TE16L1,NQ)
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2SK3816-DL-E
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AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel