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ON Semiconductor FDD107AN06LA0

Número da peça MFG
FDD107AN06LA0
Quantidade disponível
25440 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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FDD107AN06LA0 Especificações

Número da peça de fabricante FDD107AN06LA0
Número da peça futura FT-FDD107AN06LA0
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series PowerTrench®
FDD107AN06LA0 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91 mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 25W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-252AA
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD107AN06LA0 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FDD107AN06LA0-FT

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