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ON Semiconductor FDC636P

Name: FDC636P
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC636P
Availability: InStock
Rating: 4.8 (377 reviews)

Número da peça MFG: FDC636P

Quantidade disponível: 90150 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDC636P.pdf

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FDC636P Especificações

Número da peça de fabricante	FDC636P
Número da peça futura	FT-FDC636P
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
FDC636P Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SuperSOT™-6
Pacote / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC636P Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDC636P-FT

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