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ON Semiconductor FDB3632_SB82115

Name: FDB3632_SB82115
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB3632_SB82115
Availability: InStock
Rating: 4.6 (143 reviews)

Número da peça MFG: FDB3632_SB82115

Quantidade disponível: 42820 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® INTEGRATED CIRCUIT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDB3632_SB82115.pdf

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FDB3632_SB82115 Especificações

Número da peça de fabricante	FDB3632_SB82115
Número da peça futura	FT-FDB3632_SB82115
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDB3632_SB82115 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	310W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB3632_SB82115 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDB3632_SB82115-FT

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