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ON Semiconductor FDB0260N1007L

Name: FDB0260N1007L
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB0260N1007L
Price: 3.127608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (84 reviews)

Número da peça MFG: FDB0260N1007L

Quantidade disponível: 31420 Peças

Preço de referência: USD 3.127608

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDB0260N1007L.pdf

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FDB0260N1007L Especificações

Número da peça de fabricante	FDB0260N1007L
Número da peça futura	FT-FDB0260N1007L
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	PowerTrench®
FDB0260N1007L Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8545pF @ 50V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D²PAK (TO-263)
Pacote / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB0260N1007L Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDB0260N1007L-FT

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