casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDAF59N30
Número da peça de fabricante | FDAF59N30 |
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Número da peça futura | FT-FDAF59N30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UniFET™ |
FDAF59N30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 161W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PF |
Pacote / caso | TO-3P-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDAF59N30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDAF59N30-FT |
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
ON Semiconductor
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
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FQI3P20TU
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FQI4N20LTU
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FQI4N20TU
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A1020B-2VQ80I
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XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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