casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDA20N50F
Número da peça de fabricante | FDA20N50F |
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Número da peça futura | FT-FDA20N50F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | UniFET™ |
FDA20N50F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3390pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 388W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-3PN |
Pacote / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA20N50F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDA20N50F-FT |
RJK5031DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6025DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK6032DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK0354DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0349DSP-00#J0
Renesas Electronics America
RJK0355DSP-00#J0
Renesas Electronics America
HAT2088R-EL-E
Renesas Electronics America
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel