casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD600R06ME3_B11_S2
Número da peça de fabricante | FD600R06ME3_B11_S2 |
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Número da peça futura | FT-FD600R06ME3_B11_S2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD600R06ME3_B11_S2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600A |
Potência - Max | 2250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 60nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R06ME3_B11_S2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD600R06ME3_B11_S2-FT |
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
MUBW20-06A7
IXYS
MUBW25-06A6K
IXYS
MUBW25-12A7
IXYS
MUBW25-12T7
IXYS
MUBW30-06A7
IXYS
MUBW30-12A6K
IXYS
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel