casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD600R06ME3_B11_S2
Número da peça de fabricante | FD600R06ME3_B11_S2 |
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Número da peça futura | FT-FD600R06ME3_B11_S2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD600R06ME3_B11_S2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600A |
Potência - Max | 2250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 60nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R06ME3_B11_S2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD600R06ME3_B11_S2-FT |
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
MUBW20-06A7
IXYS
MUBW25-06A6K
IXYS
MUBW25-12A7
IXYS
MUBW25-12T7
IXYS
MUBW30-06A7
IXYS
MUBW30-12A6K
IXYS
AGL400V5-FGG256
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
EP3SL50F484I4N
Intel
EP3CLS150F484I7N
Intel
5SGSMD6K3F40I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation