casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD200R12PT4B6BOSA1
Número da peça de fabricante | FD200R12PT4B6BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FD200R12PT4B6BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD200R12PT4B6BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300A |
Potência - Max | 1100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 12.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD200R12PT4B6BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD200R12PT4B6BOSA1-FT |
MUBW15-06A7
IXYS
MUBW15-12A6K
IXYS
MUBW15-12A7
IXYS
MUBW15-12T7
IXYS
MUBW20-06A6K
IXYS
MUBW20-06A7
IXYS
MUBW25-06A6K
IXYS
MUBW25-12A7
IXYS
MUBW25-12T7
IXYS
MUBW30-06A7
IXYS
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
5CGXFC9D7F27C8N
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA4H3F35C3N
Intel
LFXP15E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19C7N
Intel
EP1C20F400C6N
Intel
EPF10K50SBC356-3
Intel