casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCPF380N60
Número da peça de fabricante | FCPF380N60 |
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Número da peça futura | FT-FCPF380N60 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperFET® II |
FCPF380N60 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10.2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1665pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 31W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF380N60 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCPF380N60-FT |
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
GP1M009A020HG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M009A060H
Global Power Technologies Group
GP1M009A090H
Global Power Technologies Group
GP1M010A060H
Global Power Technologies Group
GP1M010A080H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel