casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCPF13N60NT
Número da peça de fabricante | FCPF13N60NT |
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Número da peça futura | FT-FCPF13N60NT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperMOS™ |
FCPF13N60NT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 258 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 39.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 33.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF13N60NT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCPF13N60NT-FT |
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation