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ON Semiconductor FCP650N80Z

Name: FCP650N80Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP650N80Z
Price: 2.576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (267 reviews)

Número da peça MFG: FCP650N80Z

Quantidade disponível: 16960 Peças

Preço de referência: USD 2.576

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 10A

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FCP650N80Z.pdf

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FCP650N80Z Especificações

Número da peça de fabricante	FCP650N80Z
Número da peça futura	FT-FCP650N80Z
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SuperFET® II
FCP650N80Z Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1565pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	162W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP650N80Z Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FCP650N80Z-FT

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