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FCP650N80Z Image

ON Semiconductor FCP650N80Z

Número da peça MFG
FCP650N80Z
Quantidade disponível
16960 Peças
Preço de referência
USD 2.576
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 10A
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FCP650N80Z.pdf
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FCP650N80Z Especificações

Número da peça de fabricante FCP650N80Z
Número da peça futura FT-FCP650N80Z
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series SuperFET® II
FCP650N80Z Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1565pF @ 100V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 162W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP650N80Z Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FCP650N80Z-FT

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