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ON Semiconductor FCP190N65S3R0

Número da peça MFG
FCP190N65S3R0
Quantidade disponível
46910 Peças
Preço de referência
USD 1.141384
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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FCP190N65S3R0 Especificações

Número da peça de fabricante FCP190N65S3R0
Número da peça futura FT-FCP190N65S3R0
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series SuperFET® III
FCP190N65S3R0 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.7mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 400V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 144W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220-3
Pacote / caso TO-220-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP190N65S3R0 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FCP190N65S3R0-FT

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