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ON Semiconductor FCMT199N60

Name: FCMT199N60
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCMT199N60
Price: 1.504784 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (616 reviews)

Número da peça MFG: FCMT199N60

Quantidade disponível: 22350 Peças

Preço de referência: USD 1.504784

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: SuperFET® II MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FCMT199N60.pdf

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FCMT199N60 Especificações

Número da peça de fabricante	FCMT199N60
Número da peça futura	FT-FCMT199N60
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SuperFET® II
FCMT199N60 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	208W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Power88
Pacote / caso	4-PowerTSFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCMT199N60 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FCMT199N60-FT

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