casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH47N60F
Número da peça de fabricante | FCH47N60F |
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Número da peça futura | FT-FCH47N60F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperFET™ |
FCH47N60F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 23.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 417W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCH47N60F-FT |
GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A070F
Global Power Technologies Group
GP1M009A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M012A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M013A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M015A050FH
Global Power Technologies Group
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel