casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH25N60N
Número da peça de fabricante | FCH25N60N |
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Número da peça futura | FT-FCH25N60N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SupreMOS™ |
FCH25N60N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3352pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 216W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH25N60N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCH25N60N-FT |
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A070F
Global Power Technologies Group
GP1M009A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M012A060FH
Global Power Technologies Group
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel