casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH125N60E

| Número da peça de fabricante | FCH125N60E |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FCH125N60E |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | SuperFET® II |
| FCH125N60E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2990pF @ 380V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 278W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
| Pacote / caso | TO-247-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FCH125N60E Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FCH125N60E-FT |

GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group

GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group

GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group

GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group

GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group

GP1M009A070F
Global Power Technologies Group

GP1M009A090FH
Global Power Technologies Group

GP1M010A060FH
Global Power Technologies Group

GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group

GP1M011A050FH
Global Power Technologies Group

XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.

XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.

A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation

XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.

XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.

A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation

M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation

ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX230HF35C2
Intel