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ON Semiconductor FCH099N65S3_F155

Name: FCH099N65S3_F155
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH099N65S3_F155
Availability: InStock
Rating: 4.8 (749 reviews)

Número da peça MFG: FCH099N65S3_F155

Quantidade disponível: 13340 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FCH099N65S3_F155.pdf

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FCH099N65S3_F155 Especificações

Número da peça de fabricante	FCH099N65S3_F155
Número da peça futura	FT-FCH099N65S3_F155
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SuperFET® III
FCH099N65S3_F155 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2480pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	227W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247-3
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH099N65S3_F155 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FCH099N65S3_F155-FT

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