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ON Semiconductor FCH041N65F-F155

Name: FCH041N65F-F155
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH041N65F-F155
Price: 7.041064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (145 reviews)

Número da peça MFG: FCH041N65F-F155

Quantidade disponível: 16470 Peças

Preço de referência: USD 7.041064

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 76A TO247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FCH041N65F-F155.pdf

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FCH041N65F-F155 Especificações

Número da peça de fabricante	FCH041N65F-F155
Número da peça futura	FT-FCH041N65F-F155
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	FRFET®, SuperFET® II
FCH041N65F-F155 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	294nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13020pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	595W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247 Long Leads
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH041N65F-F155 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FCH041N65F-F155-FT

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