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ON Semiconductor FCH041N65EFLN4

Name: FCH041N65EFLN4
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH041N65EFLN4
Price: 8.256016 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (649 reviews)

Número da peça MFG: FCH041N65EFLN4

Quantidade disponível: 11840 Peças

Preço de referência: USD 8.256016

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: FRFET®, SuperFET® II SF2 650V 44MOHM F TO2474L

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FCH041N65EFLN4.pdf

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FCH041N65EFLN4 Especificações

Número da peça de fabricante	FCH041N65EFLN4
Número da peça futura	FT-FCH041N65EFLN4
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	FRFET®, SuperFET® II
FCH041N65EFLN4 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	298nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12560pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	595W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247-4
Pacote / caso	TO-247-4
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH041N65EFLN4 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FCH041N65EFLN4-FT

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