casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCD7N60TM
Número da peça de fabricante | FCD7N60TM |
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Número da peça futura | FT-FCD7N60TM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperFET™ |
FCD7N60TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD7N60TM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCD7N60TM-FT |
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TK50P04M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
IXTY01N100D
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A3P015-1QNG68
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5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel