casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCD5N60TF
Número da peça de fabricante | FCD5N60TF |
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Número da peça futura | FT-FCD5N60TF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SuperFET™ |
FCD5N60TF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 54W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD5N60TF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FCD5N60TF-FT |
2SJ377(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ610(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK2231(TE16R1,NQ)
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2SK2266(TE24R,Q)
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2SK2845(TE16L1,Q)
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2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2993(TE24L,Q)
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2SK3068(TE24L,Q)
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2SK3127(TE24L,Q)
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M2GL050-1FG484
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ICE5LP4K-CM36ITR50
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AGL250V5-VQG100I
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5SGXMA4H3F35I3LN
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XC5VLX50-2FF324I
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XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel