casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotoelétrico, Industrial / F3ET2-018-300
Número da peça de fabricante | F3ET2-018-300 |
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Número da peça futura | FT-F3ET2-018-300 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
F3ET2-018-300 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Método de Detecção | Through-Beam |
Distância de detecção | 590.551" (15m) |
Tensão - fonte | 24VDC |
Tempo de resposta | 4ms |
Configuração de saída | NPN/PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
Método de Conexão | Connector |
Proteção de entrada | IEC IP65 |
Comprimento do cabo | - |
Fonte de luz | Infrared (880nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de operação | -10°C ~ 70°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F3ET2-018-300 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F3ET2-018-300-FT |
E3S-AD38
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M2GL025T-VF400
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29I3
Intel
EP4CE30F29C9L
Intel
EP20K60EQC240-3
Intel