Número da peça de fabricante | F25 |
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Número da peça futura | FT-F25 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
F25 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 2500V |
Atual - Média Retificada (Io) | 350mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 5V @ 100mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 250ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250nA @ 1500V |
Capacitância @ Vr, F | 2.5pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F25 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F25-FT |
SDT10A100P5-7
Diodes Incorporated
SDT10A100P5-7D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-7D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-13D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7D
Diodes Incorporated
SDT20B100D1-13
Diodes Incorporated
SDT5100D1-13
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel