casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / F1857CCD1200
Número da peça de fabricante | F1857CCD1200 |
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Número da peça futura | FT-F1857CCD1200 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
F1857CCD1200 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 55A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 165A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857CCD1200 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F1857CCD1200-FT |
DD242S10KHPSA1
Infineon Technologies
DD242S10KKHPSA1
Infineon Technologies
DD250S65K3NOSA1
Infineon Technologies
DD350N08KHPSA1
Infineon Technologies
DD400S33K2CNOSA1
Infineon Technologies
DD400S33KL2CNOSA1
Infineon Technologies
DD400S45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies
DD46S12KHPSA1
Infineon Technologies
DD500S33HE3BPSA1
Infineon Technologies
DD500S65K3NOSA1
Infineon Technologies
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation