casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / F1857CAD1600
Número da peça de fabricante | F1857CAD1600 |
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Número da peça futura | FT-F1857CAD1600 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
F1857CAD1600 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 55A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 165A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857CAD1600 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F1857CAD1600-FT |
DD241S14KAHPSA1
Infineon Technologies
DD241S14KHPSA1
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DD241S14KKHPSA1
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DD242S08KHPSA1
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DD242S10KHPSA1
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DD242S10KKHPSA1
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DD250S65K3NOSA1
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DD400S33KL2CNOSA1
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
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LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
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EP4CE75F23I7
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EP2SGX60EF1152I4N
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A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel