casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / F1827CAD1200
Número da peça de fabricante | F1827CAD1200 |
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Número da peça futura | FT-F1827CAD1200 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
F1827CAD1200 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 25A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 75A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1827CAD1200 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F1827CAD1200-FT |
CPT50060A
Microsemi Corporation
CPT50060D
Microsemi Corporation
CPT50145A
Microsemi Corporation
CPT50145D
Microsemi Corporation
CPT50235
Microsemi Corporation
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
CPT600100A
Microsemi Corporation
CPT600100D
Microsemi Corporation
CPT600150
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel