
| Número da peça de fabricante | EU02ZV |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-EU02ZV |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| EU02ZV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 400ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | Axial |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EU02ZV Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | EU02ZV-FT |

EM 1BV
Sanken

EM 1BV0
Sanken

EM 1C
Sanken

EM 1CV
Sanken

EM 1CV0
Sanken

EM 1V
Sanken

EM 1V0
Sanken

EM 1Y
Sanken

EM 1YV
Sanken

EM 1YV0
Sanken

XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.

XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.

M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation

A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation

EP4SE360H29I3N
Intel

XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.

A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation

LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX60DF780C5N
Intel

EP1S40F1020I6N
Intel