casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ESH1DHE3_A/I
Número da peça de fabricante | ESH1DHE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-ESH1DHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
ESH1DHE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1DHE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ESH1DHE3_A/I-FT |
BYG22D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23T-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation