casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ES6U1T2R
Número da peça de fabricante | ES6U1T2R |
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Número da peça futura | FT-ES6U1T2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES6U1T2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-WEMT |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES6U1T2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES6U1T2R-FT |
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