casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES3DHE3J_A/I
Número da peça de fabricante | ES3DHE3J_A/I |
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Número da peça futura | FT-ES3DHE3J_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
ES3DHE3J_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 30ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AB, SMC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DHE3J_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES3DHE3J_A/I-FT |
S5K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MS-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MS-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation