casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES3DB R5G
Número da peça de fabricante | ES3DB R5G |
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Número da peça futura | FT-ES3DB R5G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES3DB R5G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 46pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DB R5G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES3DB R5G-FT |
US1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1BHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1BHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel