casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES2GHE3_A/H
Número da peça de fabricante | ES2GHE3_A/H |
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Número da peça futura | FT-ES2GHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
ES2GHE3_A/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2GHE3_A/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES2GHE3_A/H-FT |
U1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1C-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel