casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES2DV M4G
Número da peça de fabricante | ES2DV M4G |
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Número da peça futura | FT-ES2DV M4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES2DV M4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 20ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AA, SMB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DV M4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES2DV M4G-FT |
S15JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S15MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3BHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3GHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3JHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3KHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3KHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel