casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES2BA M2G
Número da peça de fabricante | ES2BA M2G |
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Número da peça futura | FT-ES2BA M2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES2BA M2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2BA M2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES2BA M2G-FT |
ES1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel