casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES2BAHR3G
Número da peça de fabricante | ES2BAHR3G |
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Número da peça futura | FT-ES2BAHR3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
ES2BAHR3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2BAHR3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES2BAHR3G-FT |
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel