casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES1FL M2G
Número da peça de fabricante | ES1FL M2G |
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Número da peça futura | FT-ES1FL M2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1FL M2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacitância @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FL M2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1FL M2G-FT |
SS14L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel