casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES1DV M2G
Número da peça de fabricante | ES1DV M2G |
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Número da peça futura | FT-ES1DV M2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1DV M2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 15ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DV M2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1DV M2G-FT |
S1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA R3G
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SK320A R3G
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UG2JAHR3G
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US1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
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LCMXO2280E-3TN100I
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M2GL090-FCSG325I
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LCMXO2280E-3FT256C
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LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
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5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
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5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
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