Número da peça de fabricante | ES1DRX |
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Número da peça futura | FT-ES1DRX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1DRX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200nA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123W |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD123W |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DRX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1DRX-FT |
BAT86,133
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLVL
NXP USA Inc.
PMEG3010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3010AESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG3010ESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3010ESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010ESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010ESBZ
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel