casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES1DL RQG
Número da peça de fabricante | ES1DL RQG |
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Número da peça futura | FT-ES1DL RQG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1DL RQG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL RQG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1DL RQG-FT |
1N914BWS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV19W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV19WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV20WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV21WS R9G
Taiwan Semiconductor Corporation
RB500V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F1HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F2HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F4HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel