casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / ES1DL MHG
Número da peça de fabricante | ES1DL MHG |
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Número da peça futura | FT-ES1DL MHG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ES1DL MHG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sub SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL MHG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ES1DL MHG-FT |
SS110LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel