casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - Varistores, MOVs / ERZ-E11E102
Número da peça de fabricante | ERZ-E11E102 |
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Número da peça futura | FT-ERZ-E11E102 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ZNR® |
ERZ-E11E102 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Volts Máximos de CA | 625V |
Volts DC Máximos | 825V |
Tensão Varistor (Min) | 900V |
Tensão Varistor (Typ) | 1kV |
Tensão do varistor (máximo) | 1.1kV |
Corrente - Surge | 5kA |
Energia | 280J |
Número de circuitos | 1 |
Capacitância @ Frequência | 220pF @ 1kHz |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Disc 13mm |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E102 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERZ-E11E102-FT |
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1517I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-1FFG484C
Xilinx Inc.
A3PN060-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE6U14I7N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
5SEE9F45I3N
Intel
5SEEBH40I2L
Intel
LFEC10E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation