casa / produtos / Proteção de circuito / TVS - Varistores, MOVs / ERZ-E10E112
Número da peça de fabricante | ERZ-E10E112 |
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Número da peça futura | FT-ERZ-E10E112 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ZNR® |
ERZ-E10E112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Volts Máximos de CA | 680V |
Volts DC Máximos | 895V |
Tensão Varistor (Min) | 990V |
Tensão Varistor (Typ) | 1.1kV |
Tensão do varistor (máximo) | 1.21kV |
Corrente - Surge | 4.5kA |
Energia | 196J |
Número de circuitos | 1 |
Capacitância @ Frequência | 180pF @ 1kHz |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Disc 12.50mm |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E10E112 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERZ-E10E112-FT |
ERZ-VS34C621
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ERZ-V20D391
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ERZ-V20D112
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFGG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP3SL200H780I4LN
Intel
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4G
Intel
EP1S30F780C5N
Intel
5CGTFD9E5F35C7N
Intel