casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / ERJ-T08J112V
Número da peça de fabricante | ERJ-T08J112V |
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Número da peça futura | FT-ERJ-T08J112V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ERJ |
ERJ-T08J112V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1.1 kOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 0.333W, 1/3W |
Composição | Thick Film |
Características | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±200ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.70mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-T08J112V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERJ-T08J112V-FT |
ERJ-S08J163V
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ERJ-S08J164V
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ERJ-S08J180V
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XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel