casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / ERJ-P08D6492V
Número da peça de fabricante | ERJ-P08D6492V |
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Número da peça futura | FT-ERJ-P08D6492V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ERJ |
ERJ-P08D6492V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 64.9 kOhms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.667W, 2/3W |
Composição | Thick Film |
Características | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.70mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-P08D6492V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERJ-P08D6492V-FT |
ERJ-P08D4423V
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ERJ-P08D44R2V
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ERJ-P08D4530V
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LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
LCMXO3L-6900C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1S80F1508C6
Intel
EP4SGX110DF29C2XN
Intel