casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / ERJ-P08D2801V
Número da peça de fabricante | ERJ-P08D2801V |
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Número da peça futura | FT-ERJ-P08D2801V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ERJ |
ERJ-P08D2801V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 2.8 kOhms |
Tolerância | ±0.5% |
Potência (Watts) | 0.667W, 2/3W |
Composição | Thick Film |
Características | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.70mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-P08D2801V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERJ-P08D2801V-FT |
ERJ-P08D18R0V
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A54SX16A-TQ144I
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG456C
Xilinx Inc.
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEA5H2F35I2N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XC6SLX25T-2CSG324C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel