casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / ERD-S2TJ430V
Número da peça de fabricante | ERD-S2TJ430V |
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Número da peça futura | FT-ERD-S2TJ430V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ERDS2 |
ERD-S2TJ430V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Resistência | 43 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Carbon Film |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | -150/ -350ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.067" Dia x 0.126" L (1.70mm x 3.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERD-S2TJ430V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERD-S2TJ430V-FT |
ERG-2SJ473
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ERG-2SJ912E
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ERG-2SJ183
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ERG-2SJ151
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ERG-2SJ152
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XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel