casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / ERA-8AEB1180V
Número da peça de fabricante | ERA-8AEB1180V |
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Número da peça futura | FT-ERA-8AEB1180V |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ERA-8A |
ERA-8AEB1180V Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 118 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composição | Thin Film |
Características | Automotive AEC-Q200 |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.70mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-8AEB1180V Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ERA-8AEB1180V-FT |
ERA-8AEB433V
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XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C4N
Intel